شركة إنتل (INTC): إنتاج 18A-P التجريبي يعزز خارطة طريق الصناعة التعاقدية

ملخص

• ارتفع سهم Intel بنسبة 3.05% مع دخول 18A-P مرحلة الإنتاج التجريبي في VLSI.
• يرتفع سهم INTC مع تأكيد Intel Foundry تقدم خارطة طريق 18A-P.
• يضيف Intel 18A-P مكاسب في الطاقة والأداء ومرونة التصميم.
• تستعرض Intel أعمال تطوير الرقائق عبر CFET وGaN والروثينيوم.
• يدعم تحديث Intel Foundry سهم INTC بعد تداولات متقلبة.

ارتفعت أسهم شركة Intel Corporation (INTC) إلى 120.61، بزيادة 3.05%، بعد أن انتهت جلسة متذبذبة بتعافٍ قوي. تراجع السهم في وقت مبكر، ثم استعاد أرضيته واستقر قرب أعلى مستوياته خلال اليوم. جاء هذا التحرك في أعقاب تحديثات Intel Foundry الجديدة في مؤتمر VLSI لعام 2026.

Intel Corporation, INTC

دخول Intel 18A-P مرحلة الإنتاج التجريبي

أعلنت Intel Foundry أن Intel 18A-P دخل مرحلة الإنتاج التجريبي، متوافقًا مع الجدول الزمني الذي شاركته الشركة مع عملائها العام الماضي. يمثّل هذا التحديث أول تحسين في الأداء ضمن عائلة عمليات Intel 18A، كما عزّز رسالة Intel بشأن تنفيذ خطط المصنع على المدى البعيد.

قدّمت الشركة Intel 18A-P باعتباره ترقية متوافقة تصميميًا مع Intel 18A. وبفضل هذا التوافق، يمكن للعملاء إعادة استخدام الملكية الفكرية وتدفقات التصميم الحالية، مما يقلل من العوائق أمام مصممي الرقائق عند الانتقال إلى العملية المحسّنة.

وأفادت Intel بأن 18A-P يوفر أداءً أعلى بنسبة 9% عند نفس مستوى الطاقة، فضلًا عن استهلاك طاقة أقل بنسبة 18% عند نفس مستوى الأداء. كما تضيف العملية ميزات حرارية أفضل وخيارات تصميم أوسع.

تحديثات العملية تدعم مكاسب الأداء والطاقة

أطلقت Intel ميزة Power Boost، وهي خيار ترانزستور ذو تلامسين مزدوجين لـ Intel 18A-P. تعمل هذه الميزة على خفض المقاومة وزيادة تيار التشغيل ودعم تردد أعلى عند سعة متطابقة، مما يمنح المصممين مسارًا إضافيًا لتحسين أداء الرقائق.

كما أفادت الشركة بتحسن في المقاومة الحرارية بنسبة تتراوح بين 20% و40%، ونسبة تحسن تتراوح بين 10% و30% في مقاومة التوصيلات عبر تغييرات في المواد والهندسة، وتستهدف هذه التحديثات تدفق الحرارة وتوصيل الطاقة وحركة الإشارات عبر طبقات الرقائق.

أضافت Intel أيضًا خيارات ترانزستور جديدة منخفضة الطاقة وعالية الأداء، وتضمّنت زوجًا خامسًا لعتبة الجهد المنطقي بين ULVT وLVT، مما يمنح المصممين مرونة أكبر عند الموازنة بين السرعة والطاقة والكفاءة.

عروض VLSI تضيف سياقًا أبعد مدى

استغلت Intel حدث VLSI لربط 18A-P بالأعمال السابقة على Intel 18A. أدخلت الشركة ترانزستورات gate-all-around وتوصيل الطاقة من الجهة الخلفية إلى السوق العام الماضي، وتدعم هذه التقنيات الآن تحسينات العملية التالية وخطط التطوير المستقبلية.

قدّمت Intel أبحاثًا تُظهر تقليصًا في المساحة الموجّهة بنسبة 11% وانخفاضًا بمقدار 10 أضعاف في التذبذب الديناميكي للجهد. وقالت الشركة إن هذه المكاسب يمكنها دعم تردد أعلى بنسبة تصل إلى 6%، كما يمكنها تحقيق انخفاض يزيد على 15% في الطاقة الديناميكية مقارنةً بتقنية الجهة الأمامية المماثلة.

كما عرضت Intel أبحاثًا أبعد مدى تشمل CFET وتكامل GaN وترابط الروثينيوم. تضمّن عمل CFET تكديس أجهزة NMOS وPMOS عند خطوة بوابة 45nm، في حين استهدفت دراسات GaN والروثينيوم إدارة الطاقة وتطوير الترابط وكفاءة الرقائق المستقبلية.

The post Intel Corporation (INTC) Stock: 18A-P Risk Production Boosts Foundry Roadmap appeared first on CoinCentral.