英特尔公司（INTC）股票：18A-P风险生产提升晶圆代工路线图

TLDR

• 英特尔上涨3.05%，18A-P在VLSI进入风险生产阶段。
• 英特尔晶圆代工确认18A-P路线图进展，INTC股价上扬。
• 英特尔18A-P在功耗、性能及设计灵活性方面均有提升。
• 英特尔概述CFET、GaN及钌互连领域的芯片扩展工作。
• 英特尔晶圆代工更新在震荡交易后支撑INTC股价。

英特尔公司（INTC）股价上涨至120.61，涨幅3.05%，此前经历震荡行情后以稳健回升收盘。该股早盘下跌，但随后收复失地，收盘价接近盘中高位。此次上涨源于英特尔晶圆代工在2026年VLSI研讨会上发布的最新消息。

英特尔公司，INTC

英特尔18A-P进入风险生产阶段

英特尔晶圆代工表示，英特尔18A-P已进入风险生产阶段，与去年向客户公布的时间表吻合。此次更新标志着英特尔18A制程系列的首次性能提升，同时也进一步巩固了英特尔在长期晶圆代工执行能力方面的信心。

该公司将英特尔18A-P定位为与英特尔18A设计兼容的升级版本。由于具备兼容性，客户可复用现有知识产权及设计流程。这一方式有助于降低芯片设计者迁移至增强制程时的阻力。

英特尔表示，18A-P在相同功耗下可提供高9%的性能，在相同性能水平下可降低18%的功耗。此外，该制程还新增了更佳的散热特性及更多的设计选项。

制程更新支撑性能与功耗提升

英特尔为英特尔18A-P推出了Power Boost，这是一种双触点晶体管选项。该功能可降低阻抗、提升驱动电流，并在匹配电容下支持更高频率。因此，设计者获得了另一条提升芯片性能的途径。

该公司还报告了20%至40%的散热阻抗改善。英特尔通过材料与几何结构的调整，实现了10%至30%的通孔阻抗提升。这些更新针对芯片各层的热流、功率传输及信号传输进行了优化。

英特尔还新增了低功耗与高性能晶体管选项，并在ULVT与LVT之间引入了第五对逻辑电压阈值组合。因此，设计者在平衡速度、功耗与效率时获得了更大的灵活性。

VLSI演讲提供更长远的背景脉络

英特尔利用VLSI活动将18A-P与此前在英特尔18A上的工作相衔接。该公司去年已将全环绕栅极晶体管与背面供电技术推向市场。这些技术如今支撑着其下一步的制程改进与未来扩展计划。

英特尔展示的研究成果显示，布线面积减少11%，动态电压骤降降低10倍。该公司表示，这些收益最多可支持6%的频率提升，与同类正面技术相比，还可实现超过15%的动态功耗降低。

英特尔还展示了CFET、GaN集成及钌互连领域的长期研究。其CFET研究以45nm栅极间距堆叠了NMOS与PMOS器件。与此同时，GaN与钌的研究聚焦于电源管理、互连扩展及未来芯片效率的提升。

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