文章作者、来源:华尔街见闻 7月3日,日韩科技股在经历连续两日剧烈抛售后,迎来强劲反弹,市场情绪受产业端多重利好集中释放所提振,此前围绕“AI算力过剩”的交易逻辑出现阶段性逆转。 7月3日,韩国KOSPI指数早盘一度跌超3%,随后迅速拉升至涨5%,触发程序化买盘熔断机制;日本半导体板块同步大幅走高,整体呈现深V修复走势文章作者、来源:华尔街见闻 7月3日,日韩科技股在经历连续两日剧烈抛售后,迎来强劲反弹,市场情绪受产业端多重利好集中释放所提振,此前围绕“AI算力过剩”的交易逻辑出现阶段性逆转。 7月3日,韩国KOSPI指数早盘一度跌超3%,随后迅速拉升至涨5%,触发程序化买盘熔断机制;日本半导体板块同步大幅走高,整体呈现深V修复走势

三星谈合作、SK海力士扩产、铠侠NAND送样,日韩股市用V型反弹回应算力过剩恐慌

2026/07/03 16:27
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文章作者、来源:华尔街见闻

7月3日,日韩科技股在经历连续两日剧烈抛售后,迎来强劲反弹,市场情绪受产业端多重利好集中释放所提振,此前围绕“AI算力过剩”的交易逻辑出现阶段性逆转。

7月3日,韩国KOSPI指数早盘一度跌超3%,随后迅速拉升至涨5%,触发程序化买盘熔断机制;日本半导体板块同步大幅走高,整体呈现深V修复走势。个股方面,三星电子、SK海力士双双涨超8%,铠侠盘中一度涨逾10%,带动日韩半导体板块全面回暖。截至收盘,日经225指数收涨1.5%,东证指数收涨1.2%;韩国首尔综指大涨5.8%。

反弹的直接催化来自AI产业链多项新进展。据报道,AI初创公司Anthropic正与三星电子洽谈定制AI芯片合作,提振市场对三星晶圆代工业务前景的预期。同时,三星、SK海力士持续推进AI半导体扩产计划并公布新一轮投资;铠侠宣布其第十代3D NAND芯片已向AI数据中心客户送样,并释放需求依然强劲的信号。

不过,在AI投资进入更加注重回报率与资本效率的新阶段后,市场对产业链供需平衡及产能扩张节奏的审慎评估仍在延续,相关分歧并未根本消除。

AI催化引领反弹,三星战略合作与业绩预期共振本轮市场反弹首先来自AI产业链的新催化。

据报道,Anthropic正与三星电子讨论合作开发定制AI芯片。虽然合作仍处于早期阶段,但市场认为,这意味着三星晶圆代工业务有望进一步参与AI芯片生态。

Fibonacci Asset Management Global首席执行官Jung In Yun表示,这一合作短期内对盈利贡献有限,但战略意义积极,有助于强化三星在AI芯片领域的重要地位,也进一步凸显亚洲在AI半导体供应链中的角色。

与此同时,市场也开始提前交易三星即将公布的季度初步业绩。分析师普遍预计,公司第二季度盈利将继续大幅增长,投资者更关注管理层对于AI存储需求持续性的判断。

韩国龙头继续扩产,试图回应市场对AI需求的担忧与资本市场此前担忧形成鲜明对比的是,韩国半导体企业仍在持续扩大投资。

7月2日,三星电子和SK海力士再次公布新的建厂计划。根据公开信息,三星计划在韩国忠清地区投资约140万亿韩元,覆盖HBM晶圆厂、高性能封装、OLED及下一代电池等多个领域;SK海力士则计划投资约100万亿韩元,重点布局NAND及先进封装。

与此同时,韩国政府宣布推动企业在东南部地区投资超过312万亿韩元,重点发展半导体、AI及航天产业。其中,SK集团、三星、韩华、现代汽车等企业均将参与相关投资。

从韩国资本市场表现来看,虽然市场短期存在波动,但韩国存储芯片龙头企业仍选择继续投资,以稳定市场对于AI长期增长的预期。

业内人士也认为,Meta此前出租部分闲置算力,更应理解为资源优化,而非AI基础设施需求拐点。随着未来AI企业更加重视成本控制,自研芯片趋势反而可能进一步加强。

三星推动DRAM涨价,长期协议强化盈利预期需求预期之外,价格同样成为市场关注重点。

据韩国ZDNet报道,三星电子正在与客户协商第三季度DRAM价格,目标是将通用DRAM平均售价较第二季度再提高最高20%,服务器及移动端LPDDR产品涨价幅度也可能超过20%。

业内人士表示,AI基础设施持续建设,使服务器DRAM、高带宽存储器(HBM)及LPDDR需求仍然紧张,供给压力短期难以明显缓解。

值得关注的是,长期供应协议(LTA)正在成为行业稳定盈利的重要支撑。

美光此前披露,公司已与客户签订16份长期供应协议,这类协议不仅锁定采购数量,也设定价格下限,有助于降低未来价格大幅回落风险。业内人士认为,随着长期协议比例提升,DRAM市场明年出现明显下行的可能性较低。

不过,也有业内人士指出,三星在价格谈判中的态度较为强硬,客户能否完全接受涨价方案,仍有待观察。

铠侠推出新一代NAND,押注AI数据中心需求日本存储厂商铠侠则选择通过新品回应市场质疑。

该公司宣布,第十代BiCS FLASH 3D NAND已开始向AI数据中心客户送样,并计划于2027年启动量产。新产品采用332层堆叠架构及自主研发的CBA技术,存储密度较上一代提升约60%,接口速度达到4.8Gbps。

据报道,铠侠认为,相比超过400层的设计方案,332层架构在成本、功耗及可靠性之间实现了更优平衡。

公司首席执行官Hiroo Ota表示,公司没有看到数据中心需求减弱迹象,将继续积极响应市场增长,不排除进一步增加资本支出。他认为,随着AI智能体和机器人应用的发展,闪存市场仍存在较大的增长空间。

不过,市场竞争也正在加剧。

根据Omdia分析师Akira Minamikawa测算,2025年三星电子在数据中心NAND市场份额约40%,SK海力士约30%,铠侠约10%。韩国厂商依托HBM产品形成的一站式销售能力,仍是铠侠需要面对的重要竞争压力。

与此同时,SK海力士计划投资建设新的NAND生产设施,三星也正规划新的NAND产线。三大厂商同步扩产,意味着未来市场仍将持续关注供需关系及价格走势。

市场开始重新审视AI投资回报率此次反弹虽然缓解了市场恐慌,但业内普遍认为,AI产业的投资逻辑正在发生变化。

分析人士表示,行业正从此前“无底线采购AI芯片”,逐步转向更加关注投资回报率,未来云服务厂商对于存储芯片等产品的采购将更加精细,AI基础设施投资将进入效率优先的新阶段。

在经历本周剧烈波动之后,AI产业链未来能否继续维持高增长预期,仍将成为市场关注的核心变量。

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